| Аналоговый вход (АЦП) |
|---|
| Количество аналоговых входов по напряжению | 8 |
| Количество разрядов АЦП | 24 |
| Частотные диапазоны одновременно анализируемых сигналов | DC…2, DC…20, DC…200, DC…2000, DC…20000 Гц |
| Максимальная частота дискретизации | 400 кГц |
| Максимальное входное напряжение при единичном коэффициенте усиления | ±10В |
| Программируемые коэффициенты усиления | 1, 10, 100 |
| Диапазон для синфазного сигнала | ±9,5В |
| Встроенный генератор | 8 синхронных генераторов Выходное напряжение ±10В Выходной ток 10 мА |
| Аналоговый выход (ЦАП) |
|---|
| Количество аналоговых выходов | 1 |
| Диапазон частот генерируемого синусоидального сигнала | 0,03…20000 Гц |
| Выходное сопротивление | 50 Ом |
| Максимальный выходной ток | 10 мА |
| Количество разрядов ЦАП | 16 |
| Максимальное значение выходного напряжения | ±10В |
| Цифровой вход/выход |
|---|
| Цифровой вход | 8 бит |
| Цифровой выход | 8 бит |
| Тип логики цифрового входа/выхода | TTL |
| Метрологические характеристики |
|---|
| Аналоговый вход (АЦП) |
|---|
| Динамический диапазон | 130 дБ |
| Идентичность каналов в полосе пропускания | 0,1 % |
| Межканальная разность фаз | 1° на 10 кГц |
Спектральная плотность шума в полосе 30…20000 Гц, не более При КУ=100 При КУ=10 При КУ=1 |
15 нВ/√Гц 40 нВ/√Гц 350 нВ/√Гц |
| Аналоговый выход (ЦАП) |
|---|
| Предел допускаемой относительной погрешности установки частоты для диапазона 3…25 000 Гц | ±0,1 % |
| Предел допускаемой относительной погрешности установки частоты для диапазона 0,03…3 Гц | ±10 % |
| Пределы допускаемой погрешности установки выходного постоянного и переменного напряжения | ±(0,2 %+2 мВ) |
| Коэффициент гармоник генерируемого синусоидального сигнала | 0,1 % |
| Параметры тензоизмерения |
|---|
| Подключаемый датчик | Мостовой, полу-мостовой или четверть мостовой |
| Температурный дрейф внутренней измерительной схемы при использовании мостового или полу-мостового датчика в диапазоне температур от -15 до +25 °С | <320 нВ/(В, °С) |
| Диапазон сопротивления четверть мостового датчика | 30…1000 Ом |
| Температурный дрейф внутренней измерительной схемы при использования четверть мостового датчика при сопротивлении датчика (Rs)* в диапазоне температур от -15 до +25 °С | Rs=400 Ом, <15 мкВ/(В, °С) Rs=300 Ом, <60 мкВ/(В, °С) Rs=200 Ом, <150 мкВ/(В, °С) Rs=150 Ом, <250 мкВ/(В, °С) |
| Неидентичность температурного дрейфа внутренней измерительной схемы при использования четверть мостового датчика при сопротивлении датчика 200 Ом в диапазоне температур от -15 до +25 °С | ±50 мкВ/(В, °С) |
| Напряжение питания моста | DC: 10...10000 мВ AC (СКЗ): 10...7000 мВ |
| Несущая частота | От DC до 20 кГц |
| Ток питания датчиков | До 10 мА |
| ЭМС стандарт | №3-009-202/2017 |
| Эксплуатационные характеристики |
|---|
| Габаритные размеры | 280 х 200 х 35 мм |
| Вес | 1 кг |
| Потребляемая мощность | Не более 8 Вт |
| Устойчивость к электромагнитным полям | До 400 А/м |
| Возможность синхронизации с другими тензостанциями | Есть |
| Объем энергонезависимой памяти (съемный флэш-накопитель)** | До 32 Гб |
| Частота дискретизации при записи на флэш-накопитель по каналу** | 50 кГц |
| Время записи на флэш-накопитель по всем каналам при максимальной частоте** | 10,8 часов |
| Скорость обмена по шине Ethernet | 100 Мбит/сек. |